另外2007年12月中旬在美国华盛顿DC举行的2007 International Electron Devices Meeting（IEDM）论坛中，NAND Flash相关业者也提出了Data Flash在sub-40 nm制程的未来的技术发展方向，由于Floating Gate(FG)型MLC NAND Flash在3X nm制程生产中将会面临：记忆胞间的干扰(disturbance)、电容耦合比(capacity coupling ratio)的降低、保存电荷数的减少以及短通道效应(short channel effect)漏电等的影响将日趋严重，因此Samsung表示正在考虑从40nm以下制程导入Charge Trap(CT)型TANOS(Tantalum Aluminum Oxide Nitride Oxide Silicon)，以取代原来的浮动闸型(FG)记忆胞，目的是减小记忆胞间的干扰影响。另外为减小短通道效应的影响，Samsung也提出将采用鳍式场效晶体管(Fin Field Effect Transistors)型三维闪存记忆胞(3D Flash-cell)的技术，用来改善30 nm以下制程的Data Flash久存度(retention)性能，Samsung并可能于2008 ISSCC(International Solid-State Circuits Conference)正式发表4X nm 3D 2-bit/cell单元层迭 Data Flash。

　　同时Toshiba也在IEDM上，发表采用三维记忆胞层迭生产技术BiCS(Bit-Cost Scalable)之超高密度闪存的最新开发成果，而Toshiba/SanDisk也可能在2008 ISSCC上正式发表56 nm 3-bit/cell MLC NAND Flash，并已对其数据传输速度进行技术改良。此外一些半导体制程设备厂商如：ASML、Applied Materials…等，近期也宣示将协同客户共同研发生产3D data Flash所需的相关设备及技术，依照ITRS的进度规划，3D data Flash预期主要将会运用2Xnm制程技术来生产，并于2012年后开始成为data Flash市场的主力产品之一。

　　近期Micron & Intel则表示将着手研发2X nm的FG型MLC NAND Flash的可行生产技术解决方案，其它data Flash业者则表示将会朝研发2X nm的CT型2-bit/cell、3-bit/cell & 4- bit/cell data Flash或3X nm FG型 3-bit/cell & 4-bit/cell MLC NAND Flash来发展。依照ITRS的进度规划，3X nm CT型data Flash将会在2009年后开始成为data Flash市场的主力产品之一。同时Infineon、Qimonda、IBM & MXIC的研究小组，也在IEDM上发表了2-bit/cell & 4-bit/cell型相变化内存(Phase-change RAM)的多层化新型数据写入技术，使其更具有发展成为高性能低成本的新兴NV(non-volatile)内存的潜力产品之一。集邦科技也预期2008年NAND Flash相关厂商将会陆续提出更多新的生产技术改善方案，使其产品具有更佳的性价比，应用到更多崭新的领域里。